韩国SK海力士于周四在印第安纳州为其先进内存封装工厂举行了奠基仪式。这座工厂总投资超过40亿美元，是该公司在美国建设的首个高带宽内存封装基地，预计将于2028年10月启用洁净室，并在2029年下半年开始量产下一代HBM产品。该项目得到了美国《芯片与科学法案》的支持，SK海力士可获得最高4.58亿美元的直接资助以及5亿美元的贷款。工厂全面运营后，将成为雇佣约1000人的主要HBM中心。 https://www.bloomberg.com/news/articles/2026-08-27/sk-hynix-starts-construction-of-4-billion-memory-hub-in-indiana
来源：彭博社