根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，2026年第二季度由于Conventional DRAM（一般型DRAM）合约价显著上涨，推升整体DRAM产业营收季增59.5%，达到约1547.3亿美元。
随着LLM模型训练、AI推理刺激AI Server需求，HBM3e、LPDDR5X和高容量RDIMM出货同步成长，Agentic AI应用则带动各容量规格的RDIMM拉货。供给方面，原厂库存处于谷底，且新增供给优先满足Server应用，第二季度整体DRAM位元出货量小幅成长。
观察影响第三季营收的重要因素：单季位元出货量将持续小量增加；价格方面，因部分大容量RDIMM需求转至中低容量产品，加上PC与智能手机客户对涨价的承受能力有限，预估Conventional DRAM价格季增幅度缩减至13-18%，其中以原厂大幅收敛供给的Consumer DRAM涨幅最高。
厂商排名方面，三星（Samsung）因率先导入HBM4量产并出货，第二季度位元出货量季增幅度居三大原厂之首，且平均销售单价（ASP）大幅提升，季度营收达609.8亿美元、季增63.4%，以39.4%的市占率排名第一。
营收第二名是SK海力士（SK Hynix），其HBM占公司整体出货位元比重为三大原厂中最高，ASP增幅受限，第二季度营收季增37.9%至385.9亿美元，市占率小幅下滑至24.9%。
美光（Micron）在产能受限下，产品组合持续偏向高单价的Server DRAM，第二季度营收季增达65.5%至360亿美元，市占率略微成长至23.3%。
长鑫存储（CXMT）以146.24亿美元营收、约7.6%市占率位列第四（此前1Q26为73.39亿美元）。
TrendForce指出，三大原厂2026至2027年主要通过加速升级先进制程以提高位元供给，投片规模的扩张则借由优化生产流程、收购洁净室，以及从其他产品线调动洁净室空间达到小幅上修。
相对而言，南亚科（Nanya）、华邦电子（Winbond）、力积电（PSMC）等厂商主攻成熟制程产品，第二季度动能持续由前三大厂商转换制程后无法满足的需求支撑。南亚科DDR4、DDR3合约价显著提高，整体营收季增68.3%至26.12亿美元；华邦电子营收季增75.8%至9.98亿美元；力积电Consumer DRAM营收1.15亿美元、季增高达167.8%（若加上代工营收则季增54%），预计待其取得美光制程技术授权后，将积极启动下一波供给扩张。
来源：TrendForce集邦咨询