# 2027年HBM报价估「翻倍上扬」 伺服器记忆体需求有增无减
作者：韩清秀 / 台北 2026/07/10 03:00
记忆体供需失衡严峻，随着原厂陆续与大客户签下LTA长约，供应产能陆续遭到绑定卡死，业界预期，2026年第4季将可望提前敲定2027年高频宽记忆体（HBM）报价，2027年HBM均价势必将大幅提升，包括整体成本上涨、规格提高，以及DDR5与HBM掀起「毛利拉锯战」等因素影响，初估涨幅至少将「倍数增长」。
尽管近期Meta拟将出租算力，引发市场对于AI需求见顶或算力过剩等疑虑，但供应链人士指出，目前AI建置需求依然远远不够，2027年全年仍看不出有任何减缓的可能，而Meta出租措施并非因为需求放缓，反而是先发制人的商业战略，企图在其他竞争对手不敢轻易调整资本支出或策略之前，先透过出租算力抢先一步取得市场的「定价权」。
业界指出，目前观察2026年下半RDIMM或企业级固态硬碟（SSD）将延续显著涨幅，整体报价至年底将维持高档，而大型云端服务（CSP）业者对2027年资本支出的规划积极，因此伺服器记忆体与HBM的真实需求非但没有减缓，反而呈现一路成长趋势。
记忆体三大巨头全面启动HBM4的量产出货，但2026年HBM主力仍以HBM3E为最大量，随着Rubin平台进入规模出货，市场传出，2027年HBM年度定价将可望提早至2026年第4季抢先预告敲定，并让客户根据报价，进一步微调2027年的动态需求预测。
业界人士指出，2027年HBM价格翻倍调涨将势在必行，由于HBM4的生产良率更低、搭配逻辑制程Base Die、以及HBM本身堆叠层数增加，HBM消耗晶圆产能将是DDR5 DRAM的3倍，使得整体HBM4产能损耗比HBM3E更大。
此外，随着HBM几乎呈现2年就推进至新一代，更新速度比起过去DDR提高近3倍，为了持续推进全新一代技术节点及设备投资，故记忆体原厂也需承担先进HBM的更高的生产成本。
据悉，尽管三星电子（Samsung Electronics）率先通过HBM4认证及出货，进入量产阶段后，HBM4初期量产良率并不高。业界人士认为，短期内良率爬坡慢一点并无关系，良率迟早会随着学习曲线拉升，2027年SK海力士（SK Hynix）虽仍将占据HBM重要供应商，但三星攻下HBM4的市占率将快速增加。
不过HBM排挤传统DRAM产能的效应，引发上游原厂在产能配置的转变。
随着DDR5毛利率在2026年一路上扬，甚至出现DDR5毛利率已高於HBM的特殊现象，其营益率已超过80%，且逐季调涨。
对照於DDR5生产周期约落在3~3.5个月，而HBM4在横跨记忆体与逻辑制程base die，其生产周期将拉长至4~6个月，近期传出三星、SK海力士等回头增产DDR5的调配策略，不仅是基于更优渥的利润诱因，在产能调配及技术转换也较为容易。
另一方面，随着记忆体产能紧俏难以反转，各大记忆体原厂近来相继与大客户签订3~5年的LTA合约，意味着合约期间内，通用型DRAM出货量约有20~30%提前被绑定，除了固定价，原厂也保留后续调涨弹性的条款，这意味着，当原厂透过产能的灵活调整，将可能导致DDR5与HBM呈现毛利率拉锯战。
业界认为，记忆体卖方市场格局在2027年合约谈判中，仍将握有定价主导权，当DDR5获利诱因已大於HBM，投入HBM制造成为「苦差事」，将促使上游原厂重新针对2027年HBM报价进行补涨，未来AI模型对HBM用量持续提高，基於产能排挤以及成本提高等多重因素影响下，HBM报价将可望重回强势拉涨。
市场认为，HBM价格调涨带来成本压力，可能影响CSP短期内出现拉货节奏修正，但长期对HBM及记忆体需求将不断提高。
根据估计，相较於HBM3E每GB价格平均约1.5~1.6美元左右，虽HBM4在下半年的单位价格提升至2美元左右，仍无法反映记忆体原厂的成本标准，预计2027年价格可望提升至4~5美元或更高，包括旧款HBM3E也将随之调涨价格。
业界认为，随着HBM将占据约30%DRAM产能，而LTA长约又提前绑定了20~30%产能，相当於2027年起将有约5成产能面临排挤，未能签下长约的业者或消费性应用的处境恐将更为困难，恐导致2027年面临断货风险大增。
责任编辑：何致中