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彭博社：中国长鑫存储表示，其内存技术取得突破，已领先三星和SK海力士。

2026-10-13 13:32 · 外媒原文 · 斧头财信整理

长鑫存储宣布在4F² DRAM架构上取得突破，并计划在年底前推出面向数据中心服务器的新款芯片，声称已领先三星电子和SK海力士。受这一消息影响，三星和SK海力士在韩国股市周二双双下跌超过7%，并拖累Kospi指数走低。 https://www.bloomberg.com/news/articles/2026-10-13/china-s-cxmt-claims-memory-breakthrough-ahead-of-samsung-hynix

来源：彭博社

来源：公开报道　|　整理：斧头财信

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